為實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品多樣性，提高市場(chǎng)競爭性，海太半導(dǎo)體模組工廠通過各項(xiàng)升級(jí)改造和人員培訓(xùn)，成功導(dǎo)入新一代DDR5內(nèi)存條，并于近日完成行業(yè)巨頭SK Hynix的嚴(yán)格測(cè)試和產(chǎn)品認(rèn)證。
此次DDR5的成功導(dǎo)入，標(biāo)志著海太半導(dǎo)體突破技術(shù)難關(guān)，成功掌握了DDR5實(shí)裝測(cè)試的關(guān)鍵技術(shù)和全套工藝流程。DDR5是DRAM中的一種DDR（Double Data Rate）系列最新版本的內(nèi)存，相比DDR4速度更快、功耗更低，而且容量更大（帶寬速度提高36%，工作頻率最高頻率可達(dá)6400MHz，但功耗卻降低至1.1V），業(yè)界將DDR5稱為下一代DRAM。未來，海太半導(dǎo)體將圍繞自我優(yōu)勢(shì)持續(xù)發(fā)力，瞄準(zhǔn)“針尖”領(lǐng)域，展開核心技術(shù)攻關(guān)、關(guān)鍵產(chǎn)品品質(zhì)提升，努力以技術(shù)創(chuàng)新推動(dòng)企業(yè)高質(zhì)量發(fā)展。
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