為有效提升產(chǎn)品良率，提升企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力，海太半導(dǎo)體從兩方面著手努力提升三代DDR4生產(chǎn)質(zhì)量。一是改善測(cè)試頭接觸類型，將PIN針型變更為片式插槽型，有效避免測(cè)試基板測(cè)試頭PIN針的重復(fù)損壞，保證產(chǎn)品收率。二是改善單個(gè)單品測(cè)試點(diǎn)位托板結(jié)構(gòu)，通過(guò)減薄測(cè)試點(diǎn)位托板，使產(chǎn)品錫球充分接觸測(cè)試，從而提升初期測(cè)試產(chǎn)品識(shí)別率，最終提升產(chǎn)品收率。通過(guò)以上舉措，海太半導(dǎo)體DDR4產(chǎn)品良率已從96%提升至97.69%。
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