近日，海太半導(dǎo)體順利通過了韓國海力士FAB工廠與無錫海力士FAB工廠三代DDR4 2nd 產(chǎn)品的批量量產(chǎn)認(rèn)證，兩種新型DDR4改進(jìn)版都在海力士大規(guī)模投產(chǎn)前在海太提前獲得生產(chǎn)許可。為保障第三代DDR4順利投入量產(chǎn)，海太半導(dǎo)體多點(diǎn)發(fā)力。一是精益求精，改善工藝水平。公司技術(shù)人員針對(duì)特定問題自主開展多次現(xiàn)場研討會(huì)，與供應(yīng)商反復(fù)溝通、調(diào)整設(shè)計(jì)，堅(jiān)持開展現(xiàn)場自主改善，最終成功通過海力士產(chǎn)品收益率認(rèn)證。二是重點(diǎn)管理，狠抓產(chǎn)品品質(zhì)。圍繞新產(chǎn)品密度變大的問題，項(xiàng)目小組人員從上至下狠抓封裝后第一道直流測試不良率,從而降低芯片封裝階段的異常, 有效的確保了新產(chǎn)品良率。三是強(qiáng)化管控，對(duì)標(biāo)行業(yè)先進(jìn)。通過強(qiáng)化產(chǎn)品周期管控，加強(qiáng)測試條件穩(wěn)定性，強(qiáng)化產(chǎn)品不良分析，通過標(biāo)桿對(duì)比管理，確保了海太產(chǎn)品各指標(biāo)不低于甚至高于海力士同期運(yùn)作水平。
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